在半導體行業觀察日前的文章《EUV光刻機路線圖》中,我們談到了ASML在下一代的High NA EUV光刻機上面面臨可能的延誤問題。而隨即,東京電子發布了一個新聞稿,他們表示,公司將于將與 imec-ASML 合作,攜手推動High NA EUV 光刻機的發展。

 

EUV光刻機是全世界的技術結晶,一臺頂尖的EUV光刻機包含了10萬多個零部件。全球供應商超過5000家,從光刻機的結構分析來看,美國光源占27%,荷蘭腔體和英國真空占32%,日本材料占27%,德國光學系統占14%。因此,如果說非讓一個國家或地區去生產EUV光刻機那是根本不現實的。


東京電子表示,公司將向imec-ASML High NA EUV聯合研究實驗室(high NA EUVresearch laboratory)提供其領先的涂布機/顯影劑(Coater/Developer),該設備將與ASML的EXE:5000 集成,這是 ASML 的下一代高數值孔徑 (NA:numerical aperture )  EUV 光刻系統,擁有0.55的NA。按照原計劃,這個新光刻機將于2023 年投入使用。而通過與 imec 和 ASML 合作,TEL 將繼續追求技術開發以滿足其客戶不斷擴展的需求。


 
報道進一步指出,與傳統的 EUV 光刻相比,High NA EUV 光刻有望提供更先進的圖案縮放解決方案。被引入聯合研究實驗室的涂布機/顯影劑將具有先進的功能,它們不僅能與廣泛使用的化學放大抗蝕劑(chemically amplified resists )和底層(underlayers)兼容,而且還與旋涂含金屬抗蝕劑兼容(spin-on metal-containing resists)。


 
報道表示,旋涂含金屬抗蝕劑已表現出高分辨率和高抗蝕刻性,有望實現更精細的圖案化。然而,含金屬抗蝕劑(metal-containing resists )還需要精密的圖案尺寸控制以及硅片背面和斜面的金屬污染控制。


 
為了應對這些挑戰,安裝在聯合研究實驗室的涂布機/顯影劑配備了能夠處理含金屬抗蝕劑的前沿工藝模塊。


 
結合新的工藝模塊,TELCoater/Developer 的單個單元可以在線處理多種材料,包括化學放大抗蝕劑、含金屬抗蝕劑和底層。這將實現靈活的晶圓廠運營,同時實現更高的生產力和高可用性,這是涂布機/顯影劑的優勢之一。

 


利用其產品跨越多個相鄰工藝的廣度,TEL正在與抗蝕劑材料供應商建立合作伙伴關系,以提供涵蓋蝕刻工藝以及光刻工藝的涂布機/顯影劑的全面圖案化解決方案。


 
TEL 公司董事、高級副總裁兼 SPE 業務部總經理 Yoshinobu Mitano 表示:“TEL 很榮幸在聯合研究實驗室與 imec 和 ASML 合作,以進一步了解和解決High NA EUV 在圖案化方面面臨的挑戰。通過利用我們在 EUV 光刻工藝技術的大批量制造方面的經驗,我們打算及時向客戶的晶圓廠提供高 NA EUV 工藝解決方案。”

 


TEL 副總裁兼 CTSPS BU 總經理 Keiichi Akiyama 評論說:“作為目前在 EUV 光刻在線 Coater/Developer 中占有 100% 市場份額的制造商,我們期待與聯聯合研究實驗室合作,實現最用于下一代高數值孔徑 EUV 光刻的先進涂布機/顯影劑。我們將與合作伙伴合作,引入和驗證尖端方法和技術,以應對客戶的挑戰。”


imec 首席運營官兼研發執行副總裁 Rudi Cartuyvels 表示:“超過 25 年以來,imec 和 TEL 一直是戰略合作伙伴,開發創新解決方案以推進半導體規?;?。imec 期待繼續與 TEL 合作,以實現半導體縮放路線圖的下一步,即High NA 圖案化。”


imec 高級圖案化、工藝和材料副總裁 Steven Scheer 表示:“TEL 和 imec 之間的合作是識別和消除使用旋涂抗蝕劑的 EUV 圖案化中關鍵缺陷的關鍵,有助于大量引入 EUV制造業。對于high NA EUV 圖案化,使用更薄的抗蝕劑膜和更小的特征尺寸,減少缺陷將更加重要。因此,imec 很高興與 Imec-ASML 聯合研究實驗室中的 TEL 和抗蝕劑材料供應商合作,以加速在行業中引入High NA EUV。”

 

一臺頂級的EUV光刻機重達180噸,包含了大約10萬個零部件,需要40個集裝箱運輸,僅安裝調試的時間就需要一年左右。另外,在這10個零部件中有些特殊的零部件相當復雜,以蔡司鏡頭公司為例,為ASML提供的生產鏡頭,各種反光鏡和其他光學部件,世界上沒有一家公司能模仿他們。

 

 

明顯可以看出,EUV光刻機并非輕易就可以制造出來。