Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 推出節省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作,另外,80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據的 PCB 面積少了百分之二十。產品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產品成為高可靠性電力產品應用的最佳選擇,像是能量熱回收、積體啟動交流發電機以及電動汽車的 DC-DC 轉換器。

 

TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達低封裝電阻及較低的寄生電感,使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅動器下產生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通電阻。此外,低寄生電感能改善 EMI 電路的表現。

 

由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十,TOLL封裝能使接面的熱阻抗達 0.65°C/W, MOSFET可處理高達 270A 的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動光學檢測 (AOI) 流程。金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級規范,由 IATF 16949  認證的設施制造,并支持 PPAP 文件。


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