在入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品原子的核外電子叫做二次電子,它是一種真空中的自由電子。由于原子核和外層價電子的結合力能很小,因此外層的電子比較容易和原子脫離,使原子電離。一個能量很高的入射電子射入樣品時,可以產生許多的自由電子,這些自由電子中90%是來自樣品原子外層的價電子。接下來,為大家詳細說下二次電子像和背散射電子像有何異同和二次電子和背散射電子的特點和用途。

 

一、二次電子像和背散射電子像有何異同

二次電子成像是用被入射電子轟擊出的樣品外層電子成像,能量低,只能表征樣品表面,分辨率比較高。背散射電子是入射電子被樣品散射然后成像,能量很高,接近入射電子??梢苑磻獦悠穬炔勘容^深的信息,分辨率相對較低。

二次電子像和背散射電子像有何異同

二、二次電子和背散射電子的特點和用途

1、二次電子

由于原子核和外層價電子間的結合能很小,當原子的核外電子從入射電子獲得了大于相應的結合能的能量后,可脫離原子成為自由電子。如果這種散射過程發生在比較接近樣品表層處,那些能量大于材料逸出功的自由電子可從樣品表面逸出,變成真空中的自由電子,即二次電子。 二次電子來自表面5-10nm的區域,能量為0-50eV。 它對試樣表面狀態非常敏感,能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。由于它發自試樣表層,入射電子還沒有被多次反射,因此產生二次電子的面積與入射電子的照射面積沒有多大區別,所以二次電子的分辨率較高,一般可達到5-10nm。掃描電鏡的分辨率一般就是二次電子分辨率。 二次電子產額隨原子序數的變化不大,它主要取決與表面形貌。入射電子與樣品核外電子碰撞,使樣品表面的核外電子被激發出來的電子,是作為SEM的成像信號,代表樣品表面的結構特點。

2、背散射電子

電子照射到待測樣品的過程中,樣品能發射一部分電子,背散射電子探頭就會檢測到這些電子,從而產生相應的電信號,通過放大電路之后,在對其進行相應的轉換,后在檢測器上顯示相應待檢測樣品表面的相關信息圖像。
可以被應用于掃描電子顯微鏡中,由于在掃描電子顯微鏡中,樣品會反射部分的電子,從而能顯示待檢測樣品表面的一些狀況。

二次電子和背散射電子的特點和用途