入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品原子的核外電子叫做二次電子。二次電子一般都是在表層5~10nm深度范圍內發射出來的,它對樣品的表面形貌十分敏感,因此,能非常有效的顯示樣品的表面形貌。二次電子的能量較低,一般不超過50eV。大多數二次電子只帶有幾個電子伏的能量。接下來,為大家詳細說下二次電子的特點和用途和二次電子的應用。

 

一、二次電子的特點和用途

由于原子核和外層價電子間的結合能很小,當原子的核外電子從入射電子獲得了大于相應的結合能的能量后,可脫離原子成為自由電子。如果這種散射過程發生在比較接近樣品表層處,那些能量大于材料逸出功的自由電子可從樣品表面逸出,變成真空中的自由電子,即二次電子。 二次電子來自表面5-10nm的區域,能量為0-50eV。 它對試樣表面狀態非常敏感,能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。由于它發自試樣表層,入射電子還沒有被多次反射,因此產生二次電子的面積與入射電子的照射面積沒有多大區別,所以二次電子的分辨率較高,一般可達到5-10nm。掃描電鏡的分辨率一般就是二次電子分辨率。 二次電子產額隨原子序數的變化不大,它主要取決與表面形貌。入射電子與樣品核外電子碰撞,使樣品表面的核外電子被激發出來的電子,是作為SEM的成像信號,代表樣品表面的結構特點。

二次電子的特點和用途

二、二次電子的應用

二次電子一般都是在表層5~10nm深度范圍內發射出來的,它對樣品的表面形貌十分敏感,因此,能非常有效的顯示樣品的表面形貌。

但二次電子的產額和原子序數之間沒有明顯的依賴關系,所以不能用它來進行成分分析。

二次電子的原理被應用在電子倍增管、光電倍增管、微通道板、法拉第杯與戴利偵測器等偵測元件,也用在掃描電子顯微鏡。

二次電子的應用